Micron Technology, Inc. (纳斯达克股票代码:MU) 2月14日推出业界最小的128千兆位(Gb) NAND闪存设备，其采用了其屡获殊誉的20纳米 (nm) 制程技术。新款128Gb设备每单元存储三位信息，称之为三层存储单元 (TLC)，该存储器创立了一个高紧凑存储解决方案。

    新型128Gb TLC设备面积仅146平方毫米，比Micron同等容量的20纳米多层(MLC) NAND存储设备小25%以上。该款128Gb TLC设备主要针对具价格竞争力的移动存储器市场（闪存卡和USB硬盘），该细分市场预计在2013年一季度将占整个NAND容量的35%。Micron正向一些选定的客户提供128Gb TLC NAND样品，该产品将于二季度投产。

    “这是业绩最小、容量最大的NAND闪存设备，其将使消费类存储应用提高到一个新阶段”，Micron NAND解决方案集团副总裁Glen Hawk说。“我们每天都听到闪存的创新应用例子，使我们感到兴奋，这是Micron的机遇。我们承诺将不断丰富我们领先闪存解决方案的产品组合，以便加强为广大客户群服务的基础”。

    Micron将于2月19日太平洋标准时间下午3:15在加州旧金山召开的国际固态电路会议上介绍关于128Gb TLC NAND设备的论文。

    1来源: Micron营销，预计消耗千兆字节

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